FCD600N65S3R0-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為10.2A，漏源擊穿電壓VDSS達800V，導通電阻RDS(ON)為550mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高耐壓條件下仍能維持穩定的開關行為，適用于對電壓裕量和可靠性要求較高的電源系統。其驅動電壓范圍支持多種控制電路接口，有助于簡化柵極驅動設計，同時明確的參數指標便于在高頻或高效率應用場景中進行精確選型與布局。
