IRLR7821TRRPBF-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為7毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗和溫升，提升系統(tǒng)效率。器件適用于需要高效能開關(guān)操作的電源轉(zhuǎn)換、電池管理及負(fù)載控制等場(chǎng)合，在高頻或大電流運(yùn)行環(huán)境中可維持良好的電氣性能與熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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