NTMFS4C10NBT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5.7毫歐，適用于對效率和熱性能要求較高的功率開關場景。在柵極驅動電壓適配范圍內，器件可實現快速開關響應與較低的導通損耗，適合用于電源轉換、電機驅動及高密度功率模塊等應用。其電氣特性有助于維持系統穩定運行并提升整體能效表現。
