NVMFS5C670NLAFT1G-YE_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導通電阻低至5.3毫歐，在柵源電壓高達20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高頻率開關電路等場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關特性與導通性能之間的平衡，適合在需要高效能與高可靠性的電子系統(tǒng)中使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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