PJMD390N65EC_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。其碳化硅材料特性支持高頻開關操作，在高效率電源轉換、服務器電源、光伏逆變及儲能系統等應用中可顯著降低導通與開關損耗，同時提升系統功率密度與熱管理性能。
