IRF7809ATR-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有15A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于對導通損耗和效率有較高要求的電源管理場景。其低RDS(ON)特性有助于減少發熱，提升系統整體能效，在高頻開關應用中表現出良好的動態性能和穩定性。
