RS1E301GNTB1-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持150A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其超低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在大電流應(yīng)用中保持較高的能效和較低的溫升。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電池充放電控制、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)以及對(duì)功率處理能力和熱性能有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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