NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:219A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:1.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有219A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)可實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)通。其高電流承載能力與極低導(dǎo)通損耗特性，適用于對功率密度和效率要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景，能夠有效提升系統(tǒng)整體能效與熱管理性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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