R6504END3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備11A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓達900V，導通電阻為712mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫性能和開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其高耐壓與低導通損耗特性，使其在高頻運行條件下仍能保持較低的熱應力，適合用于各類高效電力電子系統中的開關應用。
