RJK03B9DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有50A的漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為6.5毫歐，柵源電壓（VGS）額定值達20V。低導通電阻有助于在高電流工作條件下減少功率損耗與溫升，適合用于對效率和熱管理要求較高的開關電源、電機驅動及各類直流功率轉換電路中，能夠支持高頻操作并維持良好的電氣穩定性。
