RJK0397DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減小功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率，同時(shí)支持較高的開關(guān)頻率。適用于電源管理、電池保護(hù)、電機(jī)控制及各類高效率功率轉(zhuǎn)換電路中，能夠滿足對熱性能和電氣穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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