RJK03B8DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至6.5毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理場景。器件結構支持高頻開關操作，在各類電子設備的功率轉換與控制電路中可實現穩定可靠的性能表現。
