RJK03B7DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為80A，漏源電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(on)）低至4.7毫歐，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。憑借極低的導通電阻和高電流承載能力，該器件在大電流工作狀態下可有效降低導通損耗，適用于高效率電源轉換、電機控制及各類需要高功率密度的電子系統中，能夠支持高頻開關操作并保持良好的熱性能與電氣穩定性。
