STD11NM65N-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:9.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9.3A的連續(xù)漏極電流（ID）和410mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備高耐壓能力與較低導通損耗，在高頻開關(guān)條件下仍能保持良好性能，適用于對效率、熱管理和空間布局有較高要求的電源轉(zhuǎn)換及能量處理系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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