FDD6606_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有效降低導通損耗，提升系統效率，同時支持大電流持續工作。適用于高功率密度的電源模塊、電池管理系統及各類對能效和熱性能要求較高的電子設備中，可實現高效、可靠的開關控制功能。
