SIR846ADP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導通電阻為6.4毫歐。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗，在高電流工作條件下維持較高的能效水平。適用于對效率和熱管理有較高要求的電源轉換、電機驅動以及高頻開關電路等應用場景，能夠在緊湊布局中實現穩定可靠的電氣性能。
