AOD4132L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備120A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及低至3毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其高電流承載能力和極低導(dǎo)通損耗使其適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)電路及同步整流等應(yīng)用場景。在高頻工作條件下，該器件能有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)熱性能，適合對電氣性能和空間布局有較高要求的電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
