TK3A65D(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:3.9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:1555mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、3.9A的連續(xù)漏極電流（ID）和1555mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率電源、小型化適配器以及對熱管理要求較高的電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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