SIR798DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的導通電阻顯著降低導通損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理、直流-直流轉換及高功率負載開關等應用。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的開關特性與熱性能，適合集成于對功率密度和散熱有嚴苛要求的緊湊型電子系統中。
