RS1E321GNTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為150A，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著減少功率損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的大電流開關應用，如電源轉換、電機驅動及高密度功率模塊。器件在高頻工作條件下仍能保持良好的開關特性，適合需要高可靠性和穩定性能的電子系統。
