PJMF210N65EC_T0_00601_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的漏極電流能力，漏源耐壓達650V，導通電阻為160mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有高擊穿電場強度和優異的高頻開關特性，適用于對效率、體積和熱性能有較高要求的電源系統。較低的導通電阻有助于降低導通損耗，而寬柵壓范圍則增強了與不同驅動電路的兼容性，在高功率密度設計中展現出良好的適應性。
