AOD5N50M_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景，其N(xiāo)溝道結(jié)構(gòu)支持在柵極施加正向電壓時(shí)形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)高效通斷控制。典型應(yīng)用包括電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類電子負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，能夠在確保穩(wěn)定工作的同時(shí)滿足對(duì)電壓耐受與電流承載能力的基本需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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