SI7860DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6.5毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體效率，適用于高頻率開關和大電流傳輸的場合。器件在電源轉換、電機控制及各類直流開關電路中可提供穩定的性能表現，適合對能效與熱管理有較高要求的應用環境。
