IPD65R600C6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為550mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。其結構利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中展現出較低的導通損耗與良好的熱穩定性。適用于高頻、高效率要求的電源轉換系統，可在緊湊布局中實現可靠的功率開關功能。
