IPD65R650CEATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為550mΩ。其柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，支持負壓關斷以增強抗誤導通能力。器件基于碳化硅材料，在高頻開關條件下可顯著降低開關損耗，并具備優異的高溫工作特性，適用于高效率電源、光伏逆變器、儲能系統及高功率密度電力電子裝置中的主開關或同步整流功能。
