IPL65R650C6SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達9A，導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高密度電力電子設備等場景，在提升系統能效與功率密度方面具有顯著優勢。
