FCP190N65S3R0-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至165mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定可靠的柵極驅動控制?；谔蓟璨牧系奶匦?，器件具備優異的開關性能和高溫工作能力，可有效降低系統損耗。典型應用包括高壓電源、DC-DC變換器、光伏逆變系統及儲能裝置中的高頻功率拓撲，適合對能效和功率密度有較高要求的電力電子場景。
