IAUCN10S7N074ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。其高電流承載能力與低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉換場合。器件結構支持快速開關操作，在電源管理、電機驅動及高頻逆變等應用中可有效降低功耗并提升系統響應速度。
