IXTY4N65X2_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:8.6A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:525mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備8.6A的漏極電流能力與800V的漏源耐壓，導通電阻為525mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高電壓應用中表現出較低的導通損耗和優異的高溫穩定性，適用于高頻開關電源、光伏逆變器及高效電能轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，有助于提升整體運行可靠性。
