STF9HN65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為820mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于對開關效率和熱性能要求較高的電力電子場合。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和較低的開關損耗，在適配器、電源轉換及高密度功率模塊等應用中可實現緊湊高效的電路設計。
