VDCT10N105LSA_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8.5毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其參數組合使其在中高功率應用中具備良好的導通特性和熱表現，適用于開關電源、電機驅動及高效率功率轉換等電路。器件在高頻開關操作下仍能維持較低的損耗，適合對穩定性和效率有較高要求的電子系統。
