R6507KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為550mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持寬范圍驅動條件下的可靠運行。碳化硅材料賦予器件優異的高溫穩定性和快速開關能力，在高頻、高效率的電源拓撲中可有效降低能量損耗，適用于通信電源、數據中心供電系統及可再生能源轉換設備等對性能與可靠性要求較高的場合。
