DMT10H4M5LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持120A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為100V，導(dǎo)通電阻僅為3.6毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機(jī)控制及高頻開(kāi)關(guān)電路等應(yīng)用。其電氣特性適合在緊湊型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)良好的熱性能與穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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