STD11N60DM2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:9.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9.3A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(on)）為410mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于需要高效率與高耐壓能力的功率轉換場景。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和開關性能，適合用于對能效和體積有較高要求的電源管理系統中。
