WCR380N65TG-3/TR_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度有較高要求的電源系統。其負向柵壓耐受能力有助于提升關斷可靠性，同時寬驅動電壓范圍便于與多種控制電路配合使用。
