SIHD6N65E-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為800V，連續漏極電流（ID）達10.2A，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，在高頻或高溫環境下仍能保持穩定性能。柵源驅動電壓范圍（VGS）為-8V至@0V，具備良好的驅動兼容性與抗誤觸發能力。得益于碳化硅材料的特性，器件在開關速度和熱管理方面表現優異，適用于高效率、高功率密度的電源轉換、可再生能源系統及各類電力電子設備中。
