TK6A65W,S5X_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:5.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.1A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為820mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持可靠的開關(guān)控制。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與優(yōu)異熱導(dǎo)率，該器件在高頻、高效率電源拓?fù)渲斜憩F(xiàn)穩(wěn)定，適用于通信電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及高功率密度電源模塊等應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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