IXFP12N65X2_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9A的連續漏極電流（ID）和306mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、光伏逆變系統、不間斷電源及各類對能效和熱管理有較高要求的電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動靈活性，有助于優化系統設計。
