FDMS8690_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和50A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）典型值為6.5毫歐，柵源電壓（VGS）額定范圍達±20V。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱穩定性。適用于對功率密度和效率有較高要求的開關電源、電機控制、電池管理系統及各類高效能電子設備中的功率轉換與開關電路。
