IXTP12N65X2_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)9A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為306mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關(guān)損耗與高耐壓特性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動(dòng)兼容性，同時(shí)在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定電氣性能，適合對(duì)體積和能效有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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