IPP65R045C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:105A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備105A的連續(xù)漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和開關(guān)性能，在高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中表現(xiàn)突出。其低導通損耗和快速開關(guān)特性適用于對能效和體積有較高要求的電源管理場景，可有效提升系統(tǒng)整體效率與響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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