IMBG65R020M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，具備73A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料特性，在高頻、高效率電力轉換場景中展現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對功率密度和能效要求較高的電源系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高性能計算設備中的功率管理模塊。
