IMT65R033M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為99A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源系統。其寬柵壓范圍有助于兼容多種驅動電路，同時在高溫或高負載工況下維持穩定電氣性能。
