SIHG61N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能和較低的導通損耗，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電源模塊中可發揮重要作用。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的設計靈活性，同時低RDS(on)有助于減少發熱，提升系統整體穩定性與能效表現。
