TK042N65Z5,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為70A，最大漏源電壓達650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具有低導通損耗和優異的高頻開關性能，在高效率電源轉換、服務器電源、光伏逆變及儲能系統等應用中可有效提升能效與功率密度。其寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，并有助于改善系統在高溫或高負載條件下的穩定性。
