IPW65R025CM8XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至20mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的電氣性能，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升整體能效，同時(shí)簡化散熱設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
