G3F45MT06J-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻工作條件下仍能保持較低的開關與導通損耗，適用于高效率、高功率密度的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及儲能轉換設備。其負柵壓耐受能力有助于提升關斷可靠性，減少誤觸發風險。
