IPZ65R045C7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續(xù)漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為45mΩ，在柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)特性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)能力有助于提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)減少散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)，適合用于高頻、高效率的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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