IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，漏極電流ID可達99A，最大漏源電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻與高溫工作能力，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升整體能效表現，在各類高可靠性電子設備中可實現緊湊且高效的功率管理方案。
