TW083Z65C,S1F_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源擊穿電壓達650V，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)中的功率變換環(huán)節(jié)以及對散熱和空間布局敏感的電力電子裝置，能夠支持緊湊型高功率密度設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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